XA6SLX100-2FGG484Q
电气特性 Features
- 所属产品系列: XA Spartan-6
- 逻辑单元数量(Cells): 101261
- 逻辑单元数量(Units): 101261
- 寄存器数量(Registers): 126576
- 典型操作电源电压: 1.2 V
- 最大用户输入/输出数量: 326
- 内存RAM位数: 4939776
- 在系统可编程技术: No
- 再编程支持: No
- 工作温度: -40 to 125 ℃
- 速度等级: 2
- 增强抗辐射性: No
XC2V3000-4FG676CES
电气特性 Features
- 所属产品系列: Virtex-II
- 逻辑门数量(Gates): 3000000
- 逻辑单元数量(Cells): 32256
- 逻辑单元数量(Units): 32256
- 系统门数量(System Gates): 3000000
- 寄存器数量(Registers): 28672
- 最大内部频率: 650 MHz
- 典型操作电源电压: 1.5 V
- 最大用户输入/输出数量: 484
- 内存RAM位数: 1769472
- 在系统可编程技术: Yes
- 再编程支持: Yes
- 工作温度: 0 to 85 ℃
- 速度等级: 4
- 增强抗辐射性: No
XA3S250E-4FT256I
电气特性 Features
- 所属产品系列: XA Spartan-3E
- 逻辑门数量(Gates): 250000
- 逻辑单元数量(Cells): 5508
- 逻辑单元数量(Units): 5508
- 系统门数量(System Gates): 250000
- 最大内部频率: 572 MHz
- 典型操作电源电压: 1.2 V
- 最大用户输入/输出数量: 172
- 内存RAM位数: 221184
- 在系统可编程技术: No
- 再编程支持: Yes
- 工作温度: -40 to 100 ℃
- 速度等级: 4
- 增强抗辐射性: No
XA6SLX16-2CSG225I
电气特性 Features
- 所属产品系列: XA Spartan-6
- 逻辑单元数量(Cells): 14579
- 逻辑单元数量(Units): 14579
- 寄存器数量(Registers): 18224
- 典型操作电源电压: 1.2 V
- 最大用户输入/输出数量: 160
- 内存RAM位数: 589824
- 在系统可编程技术: No
- 再编程支持: No
- 工作温度: -40 to 100 ℃
- 速度等级: 2
- 增强抗辐射性: No
XC2VP50-6FFG1148C
电气特性 Features
- 所属产品系列: Virtex-II Pro
- 逻辑单元数量(Cells): 53136
- 逻辑单元数量(Units): 53136
- 寄存器数量(Registers): 47232
- 最大内部频率: 1200 MHz
- 典型操作电源电压: 1.5 V
- 最大用户输入/输出数量: 812
- 内存RAM位数: 4276224
- 在系统可编程技术: Yes
- 再编程支持: Yes
- 工作温度: 0 to 85 ℃
- 速度等级: 6
- 增强抗辐射性: No
XA6SLX16-3CSG324Q
电气特性 Features
- 所属产品系列: XA Spartan-6
- 逻辑单元数量(Cells): 14579
- 逻辑单元数量(Units): 14579
- 寄存器数量(Registers): 18224
- 典型操作电源电压: 1.2 V
- 最大用户输入/输出数量: 232
- 内存RAM位数: 589824
- 在系统可编程技术: No
- 再编程支持: No
- 工作温度: -40 to 125 ℃
- 速度等级: 3
- 增强抗辐射性: No
XA6SLX9-2CSG324Q
电气特性 Features
- 所属产品系列: XA Spartan-6
- 逻辑单元数量(Cells): 9152
- 逻辑单元数量(Units): 9152
- 寄存器数量(Registers): 11440
- 典型操作电源电压: 1.2 V
- 最大用户输入/输出数量: 200
- 内存RAM位数: 589824
- 在系统可编程技术: No
- 再编程支持: No
- 工作温度: -40 to 125 ℃
- 速度等级: 2
- 增强抗辐射性: No
XC2VP4-5FG456C
电气特性 Features
- 所属产品系列: Virtex-II Pro
- 逻辑单元数量(Cells): 6768
- 逻辑单元数量(Units): 6768
- 寄存器数量(Registers): 6016
- 最大内部频率: 1050 MHz
- 典型操作电源电压: 1.5 V
- 最大用户输入/输出数量: 248
- 内存RAM位数: 516096
- 在系统可编程技术: Yes
- 再编程支持: Yes
- 工作温度: 0 to 85 ℃
- 速度等级: 5
- 增强抗辐射性: No
XC3S1000-4FT256C
电气特性 Features
- 所属产品系列: Spartan-3
- 逻辑门数量(Gates): 1000000
- 逻辑单元数量(Cells): 17280
- 逻辑单元数量(Units): 17280
- 系统门数量(System Gates): 1000000
- 最大内部频率: 630 MHz
- 典型操作电源电压: 1.2 V
- 最大用户输入/输出数量: 173
- 内存RAM位数: 442368
- 在系统可编程技术: Yes
- 再编程支持: Yes
- 工作温度: 0 to 85 ℃
- 速度等级: 4
- 增强抗辐射性: No
XA6SLX45T-2CSG324I
电气特性 Features
- 所属产品系列: XA Spartan-6
- 逻辑单元数量(Cells): 43661
- 逻辑单元数量(Units): 43661
- 寄存器数量(Registers): 54576
- 典型操作电源电压: 1.2 V
- 最大用户输入/输出数量: 190
- 内存RAM位数: 2138112
- 在系统可编程技术: No
- 再编程支持: No
- 工作温度: -40 to 100 ℃
- 速度等级: 2
- 增强抗辐射性: No
XC2S100E-6FG456C0776
电气特性 Features
- 所属产品系列: Spartan-IIE
- 逻辑门数量(Gates): 100000
- 逻辑单元数量(Cells): 2700
- 逻辑单元数量(Units): 600
- 系统门数量(System Gates): 100000
- 最大内部频率: 357 MHz
- 典型操作电源电压: 1.8 V
- 最大用户输入/输出数量: 202
- 内存RAM位数: 40960
- 在系统可编程技术: Yes
- 再编程支持: Yes
- 工作温度: 0 to 85 ℃
- 速度等级: 6
- 增强抗辐射性: No
XA3S250E-4FT256Q
电气特性 Features
- 所属产品系列: XA Spartan-3E
- 逻辑门数量(Gates): 250000
- 逻辑单元数量(Cells): 5508
- 逻辑单元数量(Units): 5508
- 系统门数量(System Gates): 250000
- 最大内部频率: 572 MHz
- 典型操作电源电压: 1.2 V
- 最大用户输入/输出数量: 172
- 内存RAM位数: 221184
- 在系统可编程技术: No
- 再编程支持: Yes
- 工作温度: -40 to 125 ℃
- 速度等级: 4
- 增强抗辐射性: No
XC2VP2-5FG456C
电气特性 Features
- 所属产品系列: Virtex-II Pro
- 逻辑单元数量(Cells): 3168
- 逻辑单元数量(Units): 3168
- 寄存器数量(Registers): 2816
- 最大内部频率: 1050 MHz
- 典型操作电源电压: 1.5 V
- 最大用户输入/输出数量: 156
- 内存RAM位数: 221184
- 在系统可编程技术: Yes
- 再编程支持: Yes
- 工作温度: 0 to 85 ℃
- 速度等级: 5
- 增强抗辐射性: No
XC2VP4-6FGG256C0935
电气特性 Features
- 所属产品系列: Virtex-II Pro
- 逻辑单元数量(Cells): 6768
- 逻辑单元数量(Units): 6768
- 寄存器数量(Registers): 6016
- 最大内部频率: 1200 MHz
- 典型操作电源电压: 1.5 V
- 最大用户输入/输出数量: 140
- 内存RAM位数: 516096
- 在系统可编程技术: Yes
- 再编程支持: Yes
- 工作温度: 0 to 85 ℃
- 速度等级: 6
- 增强抗辐射性: No
XA6SLX16-3FTG256I
电气特性 Features
- 所属产品系列: XA Spartan-6
- 逻辑单元数量(Cells): 14579
- 逻辑单元数量(Units): 14579
- 寄存器数量(Registers): 18224
- 典型操作电源电压: 1.2 V
- 最大用户输入/输出数量: 186
- 内存RAM位数: 589824
- 在系统可编程技术: No
- 再编程支持: No
- 工作温度: -40 to 100 ℃
- 速度等级: 3
- 增强抗辐射性: No

更新于 2026-07-10